专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种电池及其制备方法、组件-CN202310145791.6在审
  • 金井升;廖光明;杨楠楠 - 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
  • 2023-02-21 - 2023-04-11 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种电池及其制备方法、组件,该电池制备方法包括提供硅片;在硅片上生长隧穿氧化层和P层;在P层上生长N掺杂剂;对N掺杂剂进行处理,使P层转化为P和N交错排布的层;去除N掺杂剂,形成保护层;对保护层和层进行处理形成沟槽和凸起;处理硅片,使沟槽的深度增大;去除保护层;对硅片的第一面进行处理。本发明简化并改进了电池的制作工序,利用N掺杂剂将P多晶转化为N多晶,提升了掺杂形成的载流子的选择性传输性能,不仅实现了该类电池可以和传统晶体电池生产线接轨并大规模量产,而且使得电池的光电转换效率大幅提升
  • 一种电池及其制备方法组件
  • [发明专利]元件及其制造方法-CN201480016801.5有效
  • 小林英治 - 长州产业株式会社
  • 2014-03-18 - 2017-06-06 - H01L31/0747
  • 本发明提供一种具有足够的填充因数且能控制制造成本的元件及其制造方法。所述元件(10)包括n结晶半导体基板(11)、在n结晶半导体基板(11)的一侧层叠的p质系薄膜(13)、以及在n结晶半导体基板(11)的另一侧层叠的n质系薄膜(15),所述元件(10)具有存在于n结晶半导体基板(11)和p质系薄膜(13)之间的本征质系薄膜(12),n结晶半导体基板(11)和n质系薄膜(15)直接接合,n质系薄膜(15)侧被用作入射面
  • 元件及其制造方法
  • [发明专利]一种电池的制造方法-CN201510139206.7在审
  • 克新文 - 昆明豫云通信技术有限公司
  • 2015-03-28 - 2015-06-24 - H01L31/20
  • 本发明公开了一种电池的制造方法,在基板上形成第一透明导电层和薄膜层,对薄膜层进行光刻后刻蚀形成凹槽,在凹槽中沉积并充满碳,对填充有碳的进行平坦化,从而分别形成薄膜层、材料层、碳材料层和第一碳薄膜层,材料层与碳材料层在水平方向上相互间隔从而形成超晶格P半导体层,在第一碳薄膜层上依次形成本征半导体层、N半导体层、第二碳薄膜层本发明提出的电池制造方法能够增加光能带,并扩展对太阳光谱波长范围的吸收与降低P半导体层电阻,从而增加电池的光电转换效率。
  • 一种电池制造方法
  • [发明专利]一种基于纳米结构的电池-CN201610218949.8在审
  • 陈立新 - 陈立新
  • 2016-04-08 - 2016-06-15 - H01L31/0352
  • 本发明公开了一种基于纳米线的电池,包括背电极(6)和P衬底(5),其特征在于:P衬底(5)的上表面采用纳米线阵列结构,该纳米线阵列结构表面上依次层叠有i层(4)、N层(3)和氧化铟锡透明导电膜(2),纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1),其中i层(4)包括依次层叠于纳米线阵列结构表面上的高氢气/硅烷比的i层、第一i层、低氢气/硅烷比的i层以及第二i层。本发明由于P衬底表面采用纳米线结构,具有良好的陷效果,且提高了载流子的收集效率,同时i层为四层叠置结构,提高了其钝化性能,改善了电池的能量转化效率。
  • 一种基于纳米结构电池
  • [发明专利]HBC电池及其制作方法-CN202211576806.6在审
  • 钱锋;姚飞;廖运华;宋银海;贾银海;王小东 - 东莞帕萨电子装备有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-03-07 - H01L31/02
  • 本发明公开一种HBC电池及其制作方法,包括玻璃基板,所述玻璃基板的表面设有N+层以及P+层,所述N+层与所述P+层呈间隔交替地布置;所述N+层以及P+层内分别设有金属电极;所述玻璃基板的表面设有本征层,且所述本征层覆盖于所述N+层以及P+层上;所述本征层的表面设有掺杂晶体层以及与所述掺杂晶体层的掺杂类型相同的高浓度掺杂晶体层;所述掺杂晶体层为N晶体层或P晶体层;所述高浓度掺杂晶体层为N+晶体层或P+晶体层。本发明的HBC电池能节约材料,大大减少对硅片的依赖,生产成本低,有效提高市场竞争力。
  • hbc电池及其制作方法
  • [发明专利]一种电池-CN201310500099.7有效
  • 丛国芳 - 溧阳市东大技术转移中心有限公司
  • 2013-10-22 - 2014-02-19 - H01L31/075
  • 本发明公开了一种电池,自下而上依次包括:基板、第一透明导电层、薄膜层、超晶格P半导体层、第一碳薄膜层、本征半导体层;N半导体层;第二碳薄膜层、第二透明导电层以及电极。其中超晶格P半导体层由材料层与碳材料层在水平方向上相互间隔形成,所述材料层与碳材料层的宽度相等,厚度相同;薄膜层、超晶格P半导体层、第一碳薄膜层所组成的三明治结构用于提高电池的电特性与产生空穴
  • 一种电池
  • [实用新型]汽车太阳能电池外壳-CN201020244651.2无效
  • 李悦 - 李悦
  • 2010-07-01 - 2011-02-16 - H01L31/048
  • 本实用新型公开了一种汽车太阳能电池外壳,包括电池层和汽车外壳两部分,采用单晶、多晶薄膜电池中的一种,或单晶、多晶薄膜电池的组合,由若干片相对于汽车不同部分外壳形状的所述电池本实用新型采用直接结合的方式将电池盖在汽车外壳上,结构简单;还可以在汽车玻璃上覆盖透明的状电池,增大了受光面积;在汽车外壳弧面弯曲度大的地方,采用柔性好的薄膜电池,更有利于覆盖固定。
  • 汽车太阳能电池外壳
  • [发明专利]打装置-CN200510105632.5有效
  • 寺川朗 - 三洋电机株式会社
  • 2005-09-28 - 2006-04-05 - H01L31/04
  • 本发明是一种在n单晶基板和含有氢的p层之间,设置了含有氢的实质本征层的打装置,在该装置中,在所述p层和所述本征层之间,设有氢浓度比所述本征层的氢浓度低的捕获层利用该捕获层抑制氢从本征层向p层扩散。
  • 光生伏打装置

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